IGBT參數(shù)選擇
主要是門(mén)級(jí)電壓和門(mén)級(jí)電阻的選擇
1 IGBT參數(shù)門(mén)級(jí)電壓的選擇
      IGBT參數(shù)門(mén)級(jí)電壓與IGBT參數(shù)短路耐量以及與集射極間電壓之間關(guān)系非常密切.如果門(mén)級(jí)電壓過(guò)低,通態(tài)電壓增大,靜態(tài)損耗要增加.如果門(mén)級(jí)電壓過(guò)高,負(fù)載短路與故障時(shí)短路電流要增大,短路耐量隨之降低.選定門(mén)級(jí)電壓時(shí),要考慮門(mén)級(jí)電壓的最大極限與集電極電流的使用范圍,還要考慮門(mén)級(jí)電路與器件參數(shù)的分散性.因此,電壓選為15V較佳.另外,對(duì)于小容量的變換器中的IGBT不加負(fù)偏壓也能正常工作,可是對(duì)于中大容量的變換器,為了保證IGBT可靠關(guān)斷,加一定量的負(fù)偏壓,不僅可以防止 IGBT關(guān)斷瞬間因 dv/dt過(guò)高造成的誤開(kāi)通 ,提高被驅(qū)動(dòng) IGBT抗干擾能力,還可以減少集電極浪涌電流,降低損耗

2 IGBT參數(shù)門(mén)級(jí)電阻RG的選擇 
      門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的阻抗,包括門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)阻抗和門(mén)級(jí)電阻兩個(gè)部分.它們影響著驅(qū)動(dòng)波形的上升、下降速率.在高頻應(yīng)用時(shí) ,驅(qū)動(dòng)電壓的上升、下降速率應(yīng)快一些,以提高IGBT的開(kāi)關(guān)速率并降低開(kāi)關(guān)損耗.在運(yùn)行頻率較低時(shí),開(kāi)關(guān)損耗所占比例較小,驅(qū)動(dòng)電壓的上升、下降速率可以減慢些.在正常狀態(tài)下IGBT開(kāi)通越快,開(kāi)通損耗也越小.但在開(kāi)通過(guò)程中如有正在續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流和吸收電容器的放電電流,則開(kāi)通越快,IGBT承受的峰值電流也就越大,甚至急劇上升導(dǎo)致IGBT或續(xù)流二極管損壞.此時(shí)應(yīng)降低門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)脈沖的上升速率,即增加門(mén)級(jí)電阻的阻值,抑制該電流的峰值.其代價(jià)是要付出較大的開(kāi)通損耗.

當(dāng)門(mén)級(jí)電阻RG增加時(shí),IGBT的開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)間增加,進(jìn)而使每脈沖開(kāi)通能耗和關(guān)斷能損也增加.當(dāng)門(mén)級(jí)電阻RG減小時(shí),IGBT的電流上升率di/dt增大,這也會(huì)引起IGBT的誤導(dǎo)通,同時(shí)門(mén)級(jí)電阻RG上的損耗也增加.根據(jù)上述兩種情況,RG的選擇原則是,在開(kāi)關(guān)損耗不太大的情況下,應(yīng)選用較大的門(mén)級(jí)電阻RG.
門(mén)級(jí)電阻的阻值對(duì)于驅(qū)動(dòng)脈沖的波形也有較大的影響,電阻值過(guò)小時(shí)會(huì)造成驅(qū)動(dòng)脈沖振蕩,過(guò)大時(shí)驅(qū)動(dòng)波形的前后沿會(huì)發(fā)生延遲和變緩.IGBT的輸入電容CGE隨著其額定電流容量的增加而增大.為了保持相同的驅(qū)動(dòng)脈沖前后沿速率 ,對(duì)于電流容量較大的IGBT元件,應(yīng)提供較大的前后沿充電電流.為此,門(mén)級(jí)電阻的電阻值應(yīng)隨著IGBT電流容量的增加而減小.IGBT門(mén)級(jí)電阻通常采用表1所列的數(shù)值 .表中高頻一般為大于 15KHZ的工作頻率,低頻為小于 5KHZ的工作頻率.

       IGBT接線較長(zhǎng)時(shí)易產(chǎn)生振蕩,因此IGBT參數(shù)門(mén)級(jí)電阻Rg的接入盡量靠近IGBT.門(mén)級(jí)引線一般采用絞合線.另外,IGBT是壓控器件,當(dāng)集射極加有高電壓時(shí),很容易受外界干擾使門(mén)級(jí)間電壓超過(guò)一定值引起器件誤導(dǎo)通,甚至導(dǎo)致直通現(xiàn)象發(fā)生.為此,采用如下三種措施加以改善IGBT參數(shù)門(mén)級(jí)電阻:
(1)減小元件接入的電容.
(2)在門(mén)-射極間并聯(lián)兩只反串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管,把浪涌電壓限制在30V以下.
(3)在門(mén)-射極間并接一電阻Rge,Rge一般取值在1000~5000Rg之間,而且將它并聯(lián)在門(mén)射極最近處.
RG的選擇我不會(huì)這么選的,不同牌子的IGBT選用的RG值不同.

      一般我是按使用手冊(cè)推薦的RG值.
不同的牌子或是同一個(gè)牌子,電流電壓等級(jí)一樣,而不同型號(hào)其RG值不同.
例如:
富士:  2MBI75F-120    RG=9.1Ω.
          2MBI75L-120     RG=16Ω.
歐派克:FF75R12KS4     RG=7.5Ω.
西門(mén)子:BSM75GB120DN2   RG=15Ω.
三菱:  CM75DU-12H     RG=8.3Ω.
同樣是75A1200V的IGBT,型號(hào)不同,RG值不同. 

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